Resonant HEMT transducers and integrated ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Resonant HEMT transducers and integrated MEMS resonators based on AlGaN/GaN/Si heterostructures
Auteur(s) :
Faucher, Marc [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grimbert, Bertrand [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Brandli, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, Matthieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Buchaillot, Lionel [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2010
Ville :
Newport Beach, CA
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2010
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL