Titre :

Accurate multibias equivalent-circuit extraction for AlGaN/GaN/Si HEMTs passivated SiO2/Si3N4

Auteur(s) :

Mosbahi, H. [Auteur]
Gassoumi, M. [Auteur]
Zaidi, M.A. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grimbert, B. [Auteur]
Maaref, H. [Auteur]

Titre de la manifestation scientifique :

European Materials Research Society Fall Meeting, E-MRS Fall 2011, Symposium H : Novel materials for electronics, optoelectronics, photovoltaics and energy saving applications

Ville :

Warsaw

Pays :

Pologne

Date de début de la manifestation scientifique :

2011

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL