Titre :

Characterization of carbon nanotube field effect transistors using an active load pull LSNA setup

Auteur(s) :

Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Curutchet, Arnaud [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, Matthieu [Auteur]
DUCATTEAU, Damien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bethoux, Jean-Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Derycke, Vincent [Auteur]
CEA- Saclay [CEA]

Titre de la manifestation scientifique :

71st ARFTG Microwave Measurement Conference, IEEE MTT-S International Microwave Symposium

Ville :

Atlanta, GA

Pays :

Etats-Unis d'Amérique

Date de début de la manifestation scientifique :

2008-06-20

Titre de l’ouvrage :

71st ARFTG Microwave Measurement Conference, IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, IMS 2008

Date de publication :

2008

Mot(s)-clé(s) en anglais :

CNTFETs
Current measurement
Microwave theory and techniques
Frequency measurement
Microwave measurements
Microwave transistors
Logic gates

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

CNFETs have been characterized under large signal conditions at 600 MHz with an original active load pull setup using a LSNA. A non linear model of CNFET has been established and validated by comparison with the experimental ...
Lire la suite >CNFETs have been characterized under large signal conditions at 600 MHz with an original active load pull setup using a LSNA. A non linear model of CNFET has been established and validated by comparison with the experimental results. Using this non linear model, design of circuits can be considered, allowing the optimization in non linear behavior.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL