Performances of InAlN/AlN/GaN HEMTs on ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Performances of InAlN/AlN/GaN HEMTs on sapphire substrate
Auteur(s) :
Lecourt, F. [Auteur]
Ketteniss, N. [Auteur]
Behmenburg, H. [Auteur]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Eickelkamp, M. [Auteur]
Vescan, A. [Auteur]
Giesen, C. [Auteur]
Heuken, M. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ketteniss, N. [Auteur]
Behmenburg, H. [Auteur]
Defrance, Nicolas [Auteur]

Hoel, Virginie [Auteur]

Eickelkamp, M. [Auteur]
Vescan, A. [Auteur]
Giesen, C. [Auteur]
Heuken, M. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011
Ville :
Villeneuve d'Ascq
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2011
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of 20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011
Date de publication :
2011
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :