Electron-phonon scattering in Si and Ge : ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/SISPAD.2011.6035046
Title :
Electron-phonon scattering in Si and Ge : from bulk to nanodevices
Author(s) :
Rideau, D. [Auteur]
Zhang, W. [Auteur]
Niquet, Y.M. [Auteur]
Delerue, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Tavernier, C. [Auteur]
Jaouen, H. [Auteur]
Conference title :
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2011
City :
Osaka
Country :
Japon
Start date of the conference :
2011
Book title :
Proceedings of 2011 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2011
Publication date :
2011
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL