Strain relaxation of GaSb islands on GaP ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Strain relaxation of GaSb islands on GaP and GaAs substrates for highmobility AlSb/InAs heterostructures
Auteur(s) :
El Kazzi, S. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Wang, Y. [Auteur]
Ruterana, P. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011
Ville :
Villeneuve d'Ascq
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2011
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of 20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011
Date de publication :
2011
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL