100nm-gate-length In0.47Ga0.53As multi-gate ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
100nm-gate-length In0.47Ga0.53As multi-gate MOSFET : fabrication and characterisation
Auteur(s) :
Mo, J.J. [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
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Roelens, Yannick [Auteur]
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Zaknoune, Mohammed [Auteur]
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Desplanque, Ludovic [Auteur]
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Wallart, Xavier [Auteur]
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Bollaert, Sylvain [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2011
Ville :
Berlin
Pays :
Allemagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2011
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2011
Date de publication :
2011
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :