Étude de HEMTs AlGaN/GaN à grand développement ...

Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Étude de HEMTs AlGaN/GaN à grand développement pour la puissance hyperfréquence : conception et fabrication, caractérisation et fiabilité
Auteur(s) :
Douvry, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2012
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Collections :
Source :
Harvested from HAL