True planar InAs/AlSb HEMTs with ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
True planar InAs/AlSb HEMTs with ion-implantation technique for low-power cryogenic applications
Author(s) :
Moschetti, G. [Auteur]
Abbasi, M. [Auteur]
Nilsson, P.A. [Auteur]
Hallen, A. [Auteur]
Desplanque, L. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, X. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grahn, J. [Auteur]
Abbasi, M. [Auteur]
Nilsson, P.A. [Auteur]
Hallen, A. [Auteur]
Desplanque, L. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, X. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grahn, J. [Auteur]
Journal title :
Solid-State Electronics
Pages :
268-273
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2013
ISSN :
0038-1101
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :