Impurity-limited mobility and variability in gate-all-around silicon nanowires

Document type :

Compte-rendu et recension critique d'ouvrage

DOI :

Title :

Author(s) :

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Applied Physics Letters

Pages :

153119-1-4

Publisher :

American Institute of Physics

Publication date :

2012

ISSN :

0003-6951

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Collections :

Source :

Impurity-limited mobility and variability ... BibTeX CSV Excel RIS