Carrier mobility in strained Ge nanowires

Document type :

Compte-rendu et recension critique d'ouvrage

DOI :

Title :

Author(s) :

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Journal of Applied Physics

Pages :

084301-1-4

Publisher :

American Institute of Physics

Publication date :

2012

ISSN :

0021-8979

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Collections :

Source :

Carrier mobility in strained Ge nanowires BibTeX CSV Excel RIS