Properties of InxGa1-xN films in terahertz range
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Properties of InxGa1-xN films in terahertz range
Auteur(s) :
Gauthier-Brun, A. [Auteur]
Teng, J.H. [Auteur]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Liu, W. [Auteur]
Gokarna, A. [Auteur]
Tonouchi, M. [Auteur]
Chua, S.J. [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Teng, J.H. [Auteur]
Dogheche, El Hadj [Auteur]

Liu, W. [Auteur]
Gokarna, A. [Auteur]
Tonouchi, M. [Auteur]
Chua, S.J. [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Applied Physics Letters
Pagination :
071913-1-5
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2012
ISSN :
0003-6951
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00787430/document
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