Properties of InxGa1-xN films in terahertz range
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
Properties of InxGa1-xN films in terahertz range
Author(s) :
Gauthier-Brun, A. [Auteur]
Teng, J.H. [Auteur]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Liu, W. [Auteur]
Gokarna, A. [Auteur]
Tonouchi, M. [Auteur]
Chua, S.J. [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Teng, J.H. [Auteur]
Dogheche, El Hadj [Auteur]

Liu, W. [Auteur]
Gokarna, A. [Auteur]
Tonouchi, M. [Auteur]
Chua, S.J. [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Applied Physics Letters
Pages :
071913-1-5
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2012
ISSN :
0003-6951
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :
Files
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00787430/document
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- Gauthier-Brun_2012_1.3684836.pdf
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