Bias dependence of gallium nitride ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Bias dependence of gallium nitride micro-electro-mechanical systems actuation using a two-dimensional electron gas
Auteur(s) :
Ben Amar, A. [Auteur]
Faucher, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grimbert, B. [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
François, M. [Auteur]
Tilmant, Pascal [Auteur]
Werquin, M. [Auteur]
Zhang, Victor [Auteur]
Ducatteau, D. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Buchaillot, Lionel [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Faucher, Marc [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grimbert, B. [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
François, M. [Auteur]
Tilmant, Pascal [Auteur]
Werquin, M. [Auteur]
Zhang, Victor [Auteur]

Ducatteau, D. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Buchaillot, Lionel [Auteur]

Théron, Didier [Auteur]

Titre de la revue :
Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters
Pagination :
067201-1-3
Éditeur :
Japan Society of Applied Physics
Date de publication :
2012
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :