Planar InAs/AlSb HEMTs with ion-implanted ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1109/LED.2012.2185480
Titre :
Planar InAs/AlSb HEMTs with ion-implanted isolation
Auteur(s) :
Moschetti, G. [Auteur]
Nilsson, P.A. [Auteur]
Hallen, A. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Grahn, J. [Auteur]
Titre de la revue :
IEEE Electron Device Letters
Pagination :
510-512
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2012
ISSN :
0741-3106
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL