Titre :

Trapping effects dependence on electron confinement in ultrashort GaN-on-Si high-electron-mobility transistors

Auteur(s) :

Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUCATTEAU, Damien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grimbert, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, Nathalie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, Paul-Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters

Pagination :

034103-1-3

Éditeur :

Japan Society of Applied Physics

Date de publication :

2012

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

We report on the dependence of trapping effects on electron confinement in ultrashort AlN/GaN-on-Si high-electron-mobility transistors grown on 100mm silicon substrates. The use of a back barrier allows a drastic reduction ...
Lire la suite >We report on the dependence of trapping effects on electron confinement in ultrashort AlN/GaN-on-Si high-electron-mobility transistors grown on 100mm silicon substrates. The use of a back barrier allows a drastic reduction of the current collapse while offering high current density and high voltage operation, which resulted in excellent RF power performance at 18 GHz. The possibility to achieve sub-100-nm-gate-length GaN-on-Si devices with low RF dispersion under high bias is also demonstrated for the first time, promising breakthrough performance of GaN-on-Si technology in millimeter-wave applications.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL