Titre :

A 300 GHz InP/GaAsSb/InP HBT for high data rate applications

Auteur(s) :

Hassan, Maher, [Auteur]
Delmouly, Vincent [Auteur]
Rouchy, U. [Auteur]
Renvoisé, Michel [Auteur]
Frijlink, Peter [Auteur]
Smith, Derek [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUCATTEAU, Damien [Auteur]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Scavennec, André [Auteur]
Godin, Jean [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Riet, Muriel [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Maneux, Cristell [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Ardouin, Bertrand [Auteur]

Titre de la manifestation scientifique :

Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

Ville :

Berlin

Pays :

Allemagne

Date de début de la manifestation scientifique :

2011-12-15

Date de publication :

2011-12-15

Mot(s)-clé(s) en anglais :

DHBT
GaAsSb
InP
Semiconductors
Type II hetero-junction

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

In this paper, a fully passivated InP/GaAsSb/InP DHBT on InP substrate with excellent DC and RF performance is developed. The epi-layers are grown by the MOCVD technique, with a base layer of 25nm and a collector layer of ...
Lire la suite >In this paper, a fully passivated InP/GaAsSb/InP DHBT on InP substrate with excellent DC and RF performance is developed. The epi-layers are grown by the MOCVD technique, with a base layer of 25nm and a collector layer of 130nm. The emitter width of the transistor is 0.35μm and the base contact is 0.3μm wide. The base and emitter contacts present an excellent contact resistivity. The current gain of the 0.35×5μm2 transistor is equal to 21 and the breakdown voltage is equal to 4V. The current gain cut-off frequency and the unilateral gain cut-off frequency are over 300 GHz and 380 GHz respectively. The transistor is fabricated in an industrial environment at OMMIC foundry.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL