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Coupling of excitons and defect states in ...
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Type de document :
Article dans une revue scientifique: Article original
DOI :
10.1103/PhysRevB.83.144115
Titre :
Coupling of excitons and defect states in boron-nitride nanostructures
Auteur(s) :
Attaccalite, Claudio [Auteur]
Théorie de la Matière Condensée [NEEL - TMC]
Bockstedte, M. [Auteur]
Marini, A. [Auteur]
Rubio, A. [Auteur]
Wirtz, L. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015)
Pagination :
144115
Éditeur :
American Physical Society
Date de publication :
2011-04-29
ISSN :
1098-0121
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Résumé en anglais : [en]
The signature of defects in the optical spectra of hexagonal boron nitride (BN) is investigated using many body perturbation theory. A single BN-sheet serves as a model for different layered BN- nanostructures and crystals. ...
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The signature of defects in the optical spectra of hexagonal boron nitride (BN) is investigated using many body perturbation theory. A single BN-sheet serves as a model for different layered BN- nanostructures and crystals. In the sheet we embed prototypical defects such as a substitutional impurity, isolated Boron and Nitrogen vacancies, and the di-vacancy. Transitions between the deep defect levels and extended states produce characteristic excitation bands that should be responsible for the emission band around 4 eV, observed in luminescence experiments. In addition, defect bound excitons occur that are consistently treated in our ab initio approach along with the "free" exciton. For defects in strong concentration, the co-existence of both bound and free excitons adds sub-structure to the main exciton peak and provides an explanation for the corresponding feature in cathodo and photo-luminescence spectra.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Commentaire :
in press on Phys. Rev. B
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
Fichiers
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