Titre :

Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 300nm

Auteur(s) :

Mo, J. [Auteur]
Olivier, A. [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Danneville, François [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Martin, F. [Auteur]
Desplats, O. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2011

Titre de l’ouvrage :

Actes des 17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011

Éditeur :

_

Date de publication :

2011

Langue :

Français

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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