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Diamond overgrown InAlN/GaN HEMT
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Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1016/j.diamond.2011.01.006
Titre :
Diamond overgrown InAlN/GaN HEMT
Auteur(s) :
Alomari, M. [Auteur]
Dipalo, M. [Auteur]
Rossi, S. [Auteur]
Di Forte-Poisson, M.A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Carlin, J.F. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Toth, L. [Auteur]
Pecz, B. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Titre de la revue :
Diamond and Related Materials
Pagination :
604-608
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2011
ISSN :
0925-9635
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
Fichiers
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