Développement d'une nouvelle filière de ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Développement d'une nouvelle filière de transistors bipolaires à hétérojonction AlIn(As)Sb/GaInSb en vue d'applications terahertz
Auteur(s) :
Mairiaux, Estelle [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2010
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :