Titre :

Picosecond carrier lifetime in low-temperature-grown GaAsSb

Auteur(s) :

Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plissard, S.R. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Godey, Sylvie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Offranc, Olivier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Androussi, Ydir [Auteur]
Unité Matériaux et Transformations - UMR 8207 [UMET]
Magnin, Vincent [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters

Pagination :

111202-1-3

Éditeur :

Japan Society of Applied Physics

Date de publication :

2010

Mot(s)-clé(s) en anglais :

MU
LASER
TIME

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

We study the influence of growth parameters on the properties of low-temperature-grown GaAsSb layers with 15–20% Sb. We demonstrate that a proper choice of growth conditions allows achieving monocrystalline as-grown layers ...
Lire la suite >We study the influence of growth parameters on the properties of low-temperature-grown GaAsSb layers with 15–20% Sb. We demonstrate that a proper choice of growth conditions allows achieving monocrystalline as-grown layers exhibiting carrier lifetime around 1 ps and a resistivity higher than 1 kΩ·cm. Upon 600 °C annealing, the resistivity strongly decreases, indicating differences with previous observations, which we try to elucidate. The as-grown material properties are promising for THz generation and detection using a wavelength of around 1.05 µmLire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL