Doping incorporation in InAs nanowires ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Doping incorporation in InAs nanowires characterized by capacitance measurements
Auteur(s) :
Astromskas, G. [Auteur]
Storm, K. [Auteur]
Karlström, O. [Auteur]
Caroff, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Borgström, M. [Auteur]
Wernersson, L.E. [Auteur]
Storm, K. [Auteur]
Karlström, O. [Auteur]
Caroff, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Borgström, M. [Auteur]
Wernersson, L.E. [Auteur]
Titre de la revue :
Journal of Applied Physics
Pagination :
054306-1-5
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2010
ISSN :
0021-8979
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- https://openresearch-repository.anu.edu.au/bitstream/1885/15709/1/01_Astromskas_Doping_Incorporation_in_InAs_2010.pdf
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- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00548710/document
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