Improvement of ohmic contacts to In0.65Ga0.35Sb ...

Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1116/1.3268134
Title :
Improvement of ohmic contacts to In0.65Ga0.35Sb using Mo refractory metal and surface preparation for 6.3 Å heterojunction bipolar transistors
Author(s) :
Mairiaux, E. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur] refId
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Zaknoune, Mohammed [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Journal of Vacuum Science and Technology
Pages :
17-20
Publisher :
American Vacuum Society (AVS)
Publication date :
2010
ISSN :
0022-5355
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL