Improvement of ohmic contacts to In0.65Ga0.35Sb ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1116/1.3268134
Titre :
Improvement of ohmic contacts to In0.65Ga0.35Sb using Mo refractory metal and surface preparation for 6.3 Å heterojunction bipolar transistors
Auteur(s) :
Mairiaux, E. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur] refId
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Zaknoune, Mohammed [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Journal of Vacuum Science and Technology
Pagination :
17-20
Éditeur :
American Vacuum Society (AVS)
Date de publication :
2010
ISSN :
0022-5355
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL