Self-heating and trapping effects in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors

Type de document :

Compte-rendu et recension critique d'ouvrage

DOI :

Titre :

Auteur(s) :

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics

Pagination :

054511-1-7

Éditeur :

American Institute of Physics

Date de publication :

2009

ISSN :

0021-8979

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

Source :

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