Deep levels and nonlinear characterization ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1016/j.mejo.2007.02.005
Titre :
Deep levels and nonlinear characterization of AlGaN/GaN HEMTs on silicon carbide substrate
Auteur(s) :
Gassoumi, M. [Auteur]
Bluet, J.M. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guillot, G. [Auteur]
Maaref, H. [Auteur]
Titre de la revue :
Microelectronics Journal
Pagination :
1161-1165
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2009
ISSN :
0026-2692
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Fichiers
Thumbnail