Titre :

Luminescence and reflectivity characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Auteur(s) :

Baron, N. [Auteur]
Leroux, M. [Auteur]
Zeggaoui, N. [Auteur]
Corfdir, P. [Auteur]
Semond, F. [Auteur]
Bougrioua, Zahia [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Azize, M. [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
Massies, J. [Auteur]

Titre de la revue :

Physica Status Solidi (c)

Pagination :

S715-S718

Éditeur :

Wiley

Date de publication :

2009

ISSN :

1610-1634

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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