TEM characterization of polysilicon and ...
Type de document :
Article dans une revue scientifique: Article original
Titre :
TEM characterization of polysilicon and silicide fin fabrication processes of FinFETs
Auteur(s) :
Ratajczak, J. [Auteur]
Laszcz, Adam [Auteur]
Czerwinski, A. [Auteur]
Katcki, J. [Auteur]
Tang, Xing [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Reckinger, N. [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Yarekha, Dmytro [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Larrieu, Guilhem [Auteur]
Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes [LAAS]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Laszcz, Adam [Auteur]
Czerwinski, A. [Auteur]
Katcki, J. [Auteur]
Tang, Xing [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Reckinger, N. [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Yarekha, Dmytro [Auteur]

Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Larrieu, Guilhem [Auteur]
Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes [LAAS]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Dubois, Emmanuel [Auteur]

Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Acta Physica Polonica A
Pagination :
89-91
Éditeur :
Polish Academy of Sciences. Institute of Physics
Date de publication :
2009
ISSN :
0587-4246
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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- 2009-Ratajczak-Acta-Polonica-TEM-on-Fins-hal.pdf
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