Gate-recess technology for InAs/AlSb HEMTs
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
Gate-recess technology for InAs/AlSb HEMTs
Author(s) :
Lefebvre, E. [Auteur]
Malmkvist, M. [Auteur]
Borg, M. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grahn, J. [Auteur]
Malmkvist, M. [Auteur]
Borg, M. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grahn, J. [Auteur]
Journal title :
IEEE Transactions on Electron Devices
Pages :
1904-1911
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2009
ISSN :
0018-9383
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :