Gate-recess technology for InAs/AlSb HEMTs

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1109/TED.2009.2026123
URL permanente :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/50355
Titre :
Gate-recess technology for InAs/AlSb HEMTs
Auteur(s) :
Lefebvre, E. [Auteur]
Malmkvist, M. [Auteur]
Borg, M. [Auteur]
Desplanque, L. [Auteur]
Wallart, X. [Auteur]
Dambrine, G. [Auteur]
Bollaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grahn, J. [Auteur]
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2009
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Date de dépôt :
2021-07-27T19:01:46Z