Gate-recess technology for InAs/AlSb HEMTs
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Gate-recess technology for InAs/AlSb HEMTs
Auteur(s) :
Lefebvre, E. [Auteur]
Malmkvist, M. [Auteur]
Borg, M. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grahn, J. [Auteur]
Malmkvist, M. [Auteur]
Borg, M. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grahn, J. [Auteur]
Titre de la revue :
IEEE Transactions on Electron Devices
Pagination :
1904-1911
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2009
ISSN :
0018-9383
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :