Titre :

Optimization of RF performance of metallic source/drain SOI MOSFETs using dopant segregation at the Schottky interface

Auteur(s) :

Valentin, R. [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Larrieu, G. [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Raskin, J.P. [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Breil, N. [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]

Titre de la revue :

IEEE Electron Device Letters

Pagination :

1197-1199

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2009-10-09

ISSN :

0741-3106

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL