THz emission from AlGaN/GaN high mobility ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
THz emission from AlGaN/GaN high mobility transistors
Author(s) :
Dyakonova, N. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Coquillat, D. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Teppe, F. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, W. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Levinshtein, M.E. [Auteur]
Rumyantsev, S.L. [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vandenbrouk, S. [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Coquillat, D. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Teppe, F. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, W. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Levinshtein, M.E. [Auteur]
Rumyantsev, S.L. [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vandenbrouk, S. [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
V International Conference “Basic Problems of Optics
City :
St Petersburg
Country :
Russie
Start date of the conference :
2008
Book title :
Proceedings of V International Conference “Basic Problems of Optics
Publication date :
2008
HAL domain(s) :
Physique [physics]/Physique [physics]/Physique Générale [physics.gen-ph]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :