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Electrochemical impedance spectroscopy of ...
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Document type :
Article dans une revue scientifique: Article original
DOI :
10.1016/j.elecom.2009.02.019
Title :
Electrochemical impedance spectroscopy of ZnO nanostructures
Author(s) :
Liu, Hong [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Piret, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Sieber, B. [Auteur]
Laboratoire de structures et propriétés de l'état solide - UMR 8008 [LSPES]
Laureyns, J. [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Roussel, Pascal [Auteur] orcid refId
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Xu, Wei Jiang [Auteur] refId
Boukherroub, Rabah [Auteur correspondant] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Szunerits, Sabine [Auteur correspondant] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Electrochemistry Communications
Pages :
945-949
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2009
ISSN :
1388-2481
English keyword(s) :
ZnO nanowires
Electrochemical impedance spectroscopy
Carrier density
Annealing
HAL domain(s) :
Chimie/Matériaux
English abstract : [en]
The paper reports on the use of electrochemical impedance spectroscopy to determine the doping character and carrier density of freshly prepared and annealed ZnO nanostructures. The ZnO nanostructures were obtained by ...
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The paper reports on the use of electrochemical impedance spectroscopy to determine the doping character and carrier density of freshly prepared and annealed ZnO nanostructures. The ZnO nanostructures were obtained by chemical oxidation of metallic Zn in a 5% N,N-dimethylformamide (DMF) aqueous solution at 95 °C for 24 h. The as-grown nanostructured ZnO samples display a high donor density of 3.71 ± 0.88 × 10<sup>21</sup> cm<sup>−3</sup>. Annealing at 100 and 200 °C did not have any effect on the donor density while thermal annealing at 300 °C in air for 1 h induced a decrease in the doping concentration without affecting the surface morphology.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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