Electrochemical impedance spectroscopy of ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Electrochemical impedance spectroscopy of ZnO nanostructures
Auteur(s) :
Liu, Hong [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Piret, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Sieber, B. [Auteur]
Laboratoire de structures et propriétés de l'état solide - UMR 8008 [LSPES]
Laureyns, J. [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Roussel, Pascal [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Xu, Wei Jiang [Auteur]
Boukherroub, Rabah [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Szunerits, Sabine [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Piret, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Sieber, B. [Auteur]
Laboratoire de structures et propriétés de l'état solide - UMR 8008 [LSPES]
Laureyns, J. [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Roussel, Pascal [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Xu, Wei Jiang [Auteur]
Boukherroub, Rabah [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Szunerits, Sabine [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Electrochemistry Communications
Pagination :
945-949
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2009
ISSN :
1388-2481
Mot(s)-clé(s) en anglais :
ZnO nanowires
Electrochemical impedance spectroscopy
Carrier density
Annealing
Electrochemical impedance spectroscopy
Carrier density
Annealing
Discipline(s) HAL :
Chimie/Matériaux
Résumé en anglais : [en]
The paper reports on the use of electrochemical impedance spectroscopy to determine the doping character and carrier density of freshly prepared and annealed ZnO nanostructures. The ZnO nanostructures were obtained by ...
Lire la suite >The paper reports on the use of electrochemical impedance spectroscopy to determine the doping character and carrier density of freshly prepared and annealed ZnO nanostructures. The ZnO nanostructures were obtained by chemical oxidation of metallic Zn in a 5% N,N-dimethylformamide (DMF) aqueous solution at 95 °C for 24 h. The as-grown nanostructured ZnO samples display a high donor density of 3.71 ± 0.88 × 10<sup>21</sup> cm<sup>−3</sup>. Annealing at 100 and 200 °C did not have any effect on the donor density while thermal annealing at 300 °C in air for 1 h induced a decrease in the doping concentration without affecting the surface morphology.Lire moins >
Lire la suite >The paper reports on the use of electrochemical impedance spectroscopy to determine the doping character and carrier density of freshly prepared and annealed ZnO nanostructures. The ZnO nanostructures were obtained by chemical oxidation of metallic Zn in a 5% N,N-dimethylformamide (DMF) aqueous solution at 95 °C for 24 h. The as-grown nanostructured ZnO samples display a high donor density of 3.71 ± 0.88 × 10<sup>21</sup> cm<sup>−3</sup>. Annealing at 100 and 200 °C did not have any effect on the donor density while thermal annealing at 300 °C in air for 1 h induced a decrease in the doping concentration without affecting the surface morphology.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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