Breaking the AlGaN/GaN HEMT scaling limit ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Breaking the AlGaN/GaN HEMT scaling limit with AlInN barriers
Auteur(s) :
Medjdoub, Farid [Auteur]
Carlin, J.F. [Auteur]
Gonschorek, M. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Py, M.A. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kohn, E. [Auteur]

Carlin, J.F. [Auteur]
Gonschorek, M. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Py, M.A. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kohn, E. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
Proceedings of the 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2007
Ville :
Venice
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2007
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :