Recent achievement in the AlGaN/GaN HEMT ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Recent achievement in the AlGaN/GaN HEMT epitaxy on silicon and engineering substrates exhibiting improved performances
Author(s) :
Lahreche, H. [Auteur]
Wilk, A. [Auteur]
Bove, P. [Auteur]
Lijadi, M. [Auteur]
Langer, R. [Auteur]
Thuret, J. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur] refId
Delage, S. [Auteur]
Conference title :
Proceedings of the 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2007
City :
Venice
Country :
Italie
Start date of the conference :
2007
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL