Electronic, optical and transport properties ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Electronic, optical and transport properties of semiconductor nanowires : theory and simulations
Author(s) :
Niquet, Yann-Michel [Auteur]
Service de Physique des Matériaux et Microstructures [SP2M - UMR 9002]
Lherbier, Aurélien [Auteur]
Persson, Martin P. [Auteur]
Service de Physique des Matériaux et Microstructures [SP2M - UMR 9002]
Triozon, François [Auteur]
Roche, Stéphane [Auteur]
Service de Physique des Matériaux et Microstructures [SP2M - UMR 9002]
Diarra, Mamadou [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delerue, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Allan, Guy [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Service de Physique des Matériaux et Microstructures [SP2M - UMR 9002]
Lherbier, Aurélien [Auteur]
Persson, Martin P. [Auteur]
Service de Physique des Matériaux et Microstructures [SP2M - UMR 9002]
Triozon, François [Auteur]
Roche, Stéphane [Auteur]
Service de Physique des Matériaux et Microstructures [SP2M - UMR 9002]
Diarra, Mamadou [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delerue, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Allan, Guy [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
397th Wilhelm and Else Heraeus Seminar on Semiconducting Nanowires : Physics, Materials and Devices
City :
Bad Honnef
Country :
Allemagne
Start date of the conference :
2007
Book title :
_
Publication date :
2007
English keyword(s) :
charge transport
transistor simulation
Monte Carlo
tight-binding
non equilibrium green functions
Kubo approach
Landauer-Büttiker method
transistor simulation
Monte Carlo
tight-binding
non equilibrium green functions
Kubo approach
Landauer-Büttiker method
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
In this paper, we review and contrast some computational methodologies to investigate charge transport in low dimensional materials and devices. This includes ultra-scaled MOS devices as well as nanowires-based field effects ...
Show more >In this paper, we review and contrast some computational methodologies to investigate charge transport in low dimensional materials and devices. This includes ultra-scaled MOS devices as well as nanowires-based field effects transistors or carbon nanotubes-based emerging devices. After presenting the context of nanodevice simulation, the focus will be made on the limits for ballistic transport in these several types of nanodevices.Show less >
Show more >In this paper, we review and contrast some computational methodologies to investigate charge transport in low dimensional materials and devices. This includes ultra-scaled MOS devices as well as nanowires-based field effects transistors or carbon nanotubes-based emerging devices. After presenting the context of nanodevice simulation, the focus will be made on the limits for ballistic transport in these several types of nanodevices.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :