InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide
Author(s) :
Alomari, M. [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
Carlin, J.F. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Poisson, M.A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Conference title :
Lester Eastman Conference on High Performance Devices
City :
Newark, DE
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2008
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL