Ge growth over thin SiO2 by UHV-CVD for ...

Type de document :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1016/j.tsf.2008.08.056
Titre :
Ge growth over thin SiO2 by UHV-CVD for MOSFET applications
Auteur(s) :
Renard, C. [Auteur]
Halbwax, Mathieu [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cammilleri, D. [Auteur]
Fossard, F. [Auteur]
Yam, V. [Auteur]
Bouchier, D. [Auteur]
Zheng, Yunlin Jacques [Auteur]
Titre de la revue :
Thin Solid Films
Pagination :
401-403
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2008
ISSN :
0040-6090
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Fichiers
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