Titre :

MBE growth of heavily carbon doped GaAsSb on InP for heterojunction bipolar transistor applications

Auteur(s) :

Yarekha, Dmitri [Auteur]
Godey, Sylvie [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Colder, H. [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Journal of Crystal Growth

Pagination :

217-220

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2007

ISSN :

0022-0248

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL