1/f tunnel current noise through Si-bound ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
1/f tunnel current noise through Si-bound alkyl monolayers
Auteur(s) :
Vuillaume, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Clément, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pleutin, Stéphane [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Seitz, Oliver [Auteur]
Department of Materials and Interfaces [Rehovot, Israël]
Cahen, D. [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Clément, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pleutin, Stéphane [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Seitz, Oliver [Auteur]
Department of Materials and Interfaces [Rehovot, Israël]
Cahen, D. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
Materials Research Society Fall Meeting
Ville :
Boston, MA
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2007-11-26
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :