Titre :

Characterisation of AlGaN/GaN HEMT epitaxy and devices on composite substrates

Auteur(s) :

Meneghesso, G. [Auteur]
Ongaro, C. [Auteur]
Zanoni, E. [Auteur]
Brylinski, C. [Auteur]
Di Forte-Poisson, M.A. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Langer, R. [Auteur]
Lahreche, H. [Auteur]
Bove, P. [Auteur]
Thorpe, J. [Auteur]

Titre de la manifestation scientifique :

IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2007

Pays :

Etats-Unis d'Amérique

Date de début de la manifestation scientifique :

2007

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of the 2007 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2007

Éditeur :

IEEE, Piscataway, NJ, USA

Date de publication :

2007

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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