AlInN/GaN a suitable HEMT device for ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/MWSYM.2007.380349
Title :
AlInN/GaN a suitable HEMT device for extremely high power high frequency applications
Author(s) :
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
Carlin, J.F. [Auteur]
Vandenbrouck, S. [Auteur]
Delos, E. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Conference title :
IEEE International Microwave Symposium, IEEE/MTT-S 2007
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2007
Book title :
IEEE International Microwave Symposium Digest, IEEE/MTT-S 2007
Publisher :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Publication date :
2007
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL