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High-speed SiGe BiCMOS technologies : ...
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Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/SMIC.2007.322759
Title :
High-speed SiGe BiCMOS technologies : 120-nm status and end-of-roadmap challenges
Author(s) :
Chevalier, P. [Auteur]
Barbalat, B. [Auteur]
Laurens, M. [Auteur]
Vandelle, B. [Auteur]
Rubaldo, L. [Auteur]
Geynet, B. [Auteur]
Voinigescu, S.P. [Auteur]
Dickson, T.O. [Auteur]
Zerounian, N. [Auteur]
Chouteau, S. [Auteur]
Dutartre, D. [Auteur]
Monroy, A. [Auteur]
Aniel, F. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chantre, A. [Auteur]
Conference title :
7th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, SiRF 2007
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2007
Book title :
Proceedings of the 7th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, SiRF 2007
Publisher :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Publication date :
2007
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
Files
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  • http://www.eecg.utoronto.ca/%7Esorinv/papers/SiRF07_chevalier.pdf
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