Titre :

High-speed SiGe BiCMOS technologies : 120-nm status and end-of-roadmap challenges

Auteur(s) :

Chevalier, P. [Auteur]
Barbalat, B. [Auteur]
Laurens, M. [Auteur]
Vandelle, B. [Auteur]
Rubaldo, L. [Auteur]
Geynet, B. [Auteur]
Voinigescu, S.P. [Auteur]
Dickson, T.O. [Auteur]
Zerounian, N. [Auteur]
Chouteau, S. [Auteur]
Dutartre, D. [Auteur]
Monroy, A. [Auteur]
Aniel, F. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chantre, A. [Auteur]

Titre de la manifestation scientifique :

7th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, SiRF 2007

Pays :

Etats-Unis d'Amérique

Date de début de la manifestation scientifique :

2007

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of the 7th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, SiRF 2007

Éditeur :

IEEE, Piscataway, NJ, USA

Date de publication :

2007

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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