Monte Carlo comparison between InAlAs/InGaAS ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/SCED.2007.383958
Titre :
Monte Carlo comparison between InAlAs/InGaAS double-gate and standard HEMTs
Auteur(s) :
Vasallo, B.G. [Auteur]
Gonzalez, T. [Auteur]
Pardo, D. [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur] refId
Bollaert, Sylvain [Auteur] refId
Cappy, Alain [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
Spanish Conference on Electron Devices
Pays :
Espagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2007
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 2007 Spanish Conference on Electron Devices
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2007
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL