Titre :

Development and analysis of low resistance ohmic contact to n-AlGaN/GaN HEMT

Auteur(s) :

Soltani, Ali [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ben Moussa, A. [Auteur]
Touati, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Laureyns, J. [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Cordier, Y. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Marhic, C. [Auteur]
Institut des Matériaux Jean Rouxel [IMN]
Djouadi, M. A. [Auteur]
Institut des Matériaux Jean Rouxel [IMN]
Dua, C. [Auteur]

Titre de la revue :

Diamond and Related Materials

Pagination :

262-266

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2007

ISSN :

0925-9635

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]/Physique [physics]/Instrumentations et Détecteurs [physics.ins-det]

Résumé en anglais : [en]

High quality ohmic contacts were realized in order to obtain an AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) on different substrates (Si, Al2O3, SiC). A metallization scheme based on Ti/Al/Ni/Au was used. The ohmic ...
Lire la suite >High quality ohmic contacts were realized in order to obtain an AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) on different substrates (Si, Al2O3, SiC). A metallization scheme based on Ti/Al/Ni/Au was used. The ohmic contacts were obtained using an optimized rapid thermal annealing (RTA) at temperature as high as 900 °C for 30 s in a N2 atmosphere up to the two dimensional electron gas (2DEG). The piezoelectric stress, measured by microRaman spectroscopy, reveals to be dependent on the distance between the transmission line model (TLM) patterns on Si substrate grown by molecular beam epitaxy (MBE). This should be related to the non-linearity of the total resistance (Rt) measured on the largest spacing between two electrodes. After a long thermal treatment at 500 °C for 2000 h, the ohmic contact shows a very stable behaviour.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL