Realization of waveguiding epitaxial GaN ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Realization of waveguiding epitaxial GaN layers on Si by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy
Auteur(s) :
Schenk, H.P.D. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Laugt, M. [Auteur]
Tottereau, O. [Auteur]
Vennegues, P. [Auteur]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Feltin, E. [Auteur]
Laugt, M. [Auteur]
Tottereau, O. [Auteur]
Vennegues, P. [Auteur]
Dogheche, El Hadj [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Applied Physics Letters
Pagination :
5139-5141
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2003
ISSN :
0003-6951
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :