Titre :

Gate ionization current of an enhancement-mode metamorphic Al0.67In0.33As/Ga0.66In0.34As HEMT on GaAs substrate

Auteur(s) :

Boudrissa, Mustafa [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delos, Elisabet [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

30th European Microwave Conferences

Ville :

Paris

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2000

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of the 8th European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium, GAAS 2000

Éditeur :

Eurpoean Microwave Association, London, UK

Date de publication :

2000

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL