Design and realization of sub-100 nm gate ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Design and realization of sub-100 nm gate length HEMTs
Author(s) :
Parenty, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Mateos-Lopez, J. [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Mateos-Lopez, J. [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Conference title :
10th European Workshop on Heterostructure Technology, heTech'00
City :
Günzburg
Country :
Allemagne
Start date of the conference :
2000-09-17
Publication date :
2000
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :