Titre :

Improvement of conductivity and breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMT structures in passivation experiments

Auteur(s) :

Shapoval, S. [Auteur]
Gurtovoi, V. [Auteur]
Kovalchuk, A. [Auteur]
Eastman, L. [Auteur]
Vertjachih, A. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]

Date de début de la manifestation scientifique :

2003

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of the SPIE - International Society for Optical Engineering, 5023

Éditeur :

SPIE – The International Society for Optical Engineering, Bellingham, WA, USA

Date de publication :

2003

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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