AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification at 60 GHz
Auteur(s) :
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Ardouin, M. [Auteur]
Bonte, B. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Ardouin, M. [Auteur]
Bonte, B. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2002
Ville :
Austin, TX
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2002
Date de publication :
2002
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :