Titre :

MBE growth of high quality AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si(111) substrate with RF small signal and power performances

Auteur(s) :

Cordier, Y. [Auteur]
Semond, F. [Auteur]
Lorenzini, P. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Natali, F. [Auteur]
Damilano, B. [Auteur]
Massies, J. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Minko, A. [Auteur]
Vellas, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dessertenne, B. [Auteur]
Cassette, S. [Auteur]
Al., Et [Auteur]

Date de début de la manifestation scientifique :

2002

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of the 2002 International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE-XII

Éditeur :

IEEE, Piscataway, NJ, USA

Date de publication :

2002

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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